GF1G-9HE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | GF1G-9HE3_A/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214BA (GF1) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-214BA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | GF1G-9 |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GF1G-9HE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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